[发明专利]一种具有丰富缺陷和硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201811360127.9 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN109437374B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 张小俊;陈静 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | C02F1/461 | 分类号: | C02F1/461;C25B1/04;C25B11/091;B82Y40/00 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有丰富缺陷和硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料及其制备方法和应用。包括以下步骤:将铜盐溶液加入到硫脲溶液中,搅拌下迅速白色絮状物溶液;在搅拌下将钴盐溶液与白色絮状物溶液混合并搅拌15分钟,然后将溶液转移至反应釜中,在140℃~160℃水热反应12~15小时,经离心,洗涤、干燥得到。所述钴掺杂硫化铜纳米片材料具有丰富缺陷和硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料作为电解水的电极材料,具有低的电阻,不仅实现了长的稳定性,而且具有大的比表面积,从而提供更大的活性面积,实现氧气快速高效析出。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 丰富 缺陷 空位 掺杂 硫化铜 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种具有硫空位的钴掺杂硫化铜纳米片材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将铜盐、钴盐分别完全溶解在乙醇中,得到铜盐溶液、钴盐溶液;S2:将硫脲完全溶解在乙醇中,得到硫脲溶液;S3:将铜盐溶液加入到硫脲溶液中,搅拌下生成白色絮状物溶液;S4:在搅拌下将钴盐溶液与步骤S3得到的白色絮状物溶液混合并搅拌15分钟,然后将溶液转移至反应釜中,在140℃~160℃水热反应12~15小时;S5:将步骤S4得到的深绿色沉淀物离心,并洗涤、干燥。
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