[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法有效
| 申请号： | 201811358422.0 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109400175B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张景贤;段于森;刘宁;江东亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法，包括：以氮化硅粉体或/和硅粉作为原料粉体，和烧结助剂混合后，得到混合粉体；将混合粉体和粘结剂混合后造粒，再经压制成型，得到素坯；将所得素坯经脱粘、烧结后，再切割成规定厚度，得到所述氮化硅陶瓷基片材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 氮化 陶瓷 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法，其特征在于，包括：以氮化硅粉体或/和硅粉作为原料粉体，和烧结助剂混合后，得到混合粉体；将混合粉体和粘结剂混合后造粒，再经压制成型，得到素坯；当原料粉体仅为氮化硅粉体时，将所得素坯经脱粘、素烧处理后，切割成规定厚度，再进行烧结，得到所述氮化硅陶瓷基片材料，所述素烧处理的温度为1200～1600℃、时间为1～12小时；或者当原料粉体含有硅粉时，将所得素坯经脱粘、氮化处理后，切割成规定厚度，再进行烧结，得到所述氮化硅陶瓷基片材料，所述氮化处理的气氛为氮气、温度为1380～1500℃、时间为2～48小时；或者将所得素坯经脱粘、烧结后，再切割成规定厚度，得到所述氮化硅陶瓷基片材料。
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