[发明专利]3D存储器以及表面调整方法有效
| 申请号： | 201811356888.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109524312B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 罗世金;胡明;鲍琨;夏志良;程纪伟;孙中旺;张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器以及表面修正方法，该3D存储器包括：包括：3D存储结构；背膜，所述背膜位于3D存储结构的表面并与之邻接；以及应力层，所述应力层与所述背膜邻接，其中，所述背膜中包括开口，所述开口的形状包括多边形、圆形、环形及其任意组合的孔状或条状，所述应力层位于所述开口中，所述开口用于限定所述应力层的图案，通过调整所述背膜的厚度来实现对不同程度翘曲的修正。该修正结构为后续的覆盖层提供了平整的表面，适用于各种方向性的表面翘曲，从而可以提高半导体器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 以及 表面 调整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的表面修正结构，包括：背膜，所述背膜位于半导体结构的表面并与之邻接；以及应力层，所述应力层与所述背膜邻接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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