[发明专利]一种光致变色室温磁性半导体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811356856.7 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109439313B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 王挺;陈代荣;焦秀玲;魏菁 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C09K9/00 分类号: C09K9/00;C09K11/74;H01F1/40
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 张宏松
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种光致变色室温磁性半导体材料及其制备方法,所述的半导体材料为Bi2WO6半导体材料,其形貌为片层状结构,其片层厚为1~5nm。为铋源和钨酸盐在水热条件下,高分子表面活性剂对其调控得到。本发明的光致变色室温磁性半导体材料Bi2WO6半导体材料,形貌为片层状结构,片层为超薄纳米片,片层状结构有利于光照后电子在[Bi2O2]层和[WO6]层之间的转移,从而产生自旋磁矩,从而表现出光诱导的磁性。在室温下具有光致变色性能,且光致变色速率快,照射5‑10min即可变色。
搜索关键词: 一种 变色 室温 磁性 半导体材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种光致变色室温磁性半导体材料,所述的半导体材料为Bi2WO6半导体材料,其形貌为片层状结构,其片层厚为1~5nm。
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