[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201811351633.1 申请日: 2018-11-14
公开(公告)号: CN110033810B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 须藤直昭 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/16;G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李小波;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置及其操作方法,可在电源接通时自存储单元阵列中准确地读出设定信息。本发明的闪速存储器(100)包括:存储单元阵列(110);检测部件,对接通电源进行检测;ROM,至少保存用于执行存储单元阵列的读出动作的代码,且将特殊代码保存于特定的地址;以及控制部件,控制ROM的读出。当利用检测部件检测到电源接通时,控制部件自ROM读出特殊代码,并判定所读出的特殊代码是否正确,在判定为正确的情况下,读出代码,在判定为不正确的情况下,再次读出特殊代码。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括:存储单元阵列;检测部件,对接通电源进行检测;只读存储器,至少保存用于执行所述存储单元阵列的读出动作的代码,且将特殊代码保存于特定的地址;以及控制部件,控制所述只读存储器的读出,当利用所述检测部件检测到电源接通时,所述控制部件自所述只读存储器读出所述特殊代码,并判定所读出的所述特殊代码是否正确,在判定为正确的情况下,读出所述代码,在判定为不正确的情况下,再次读出所述特殊代码。
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