[发明专利]一种SOI耐高温半导体应变计及其制备方法在审
| 申请号： | 201811350545.X | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109211089A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 潘宿城;张怀功;顾培培 | 申请（专利权）人： | 蚌埠市长达力敏仪器有限责任公司 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01L1/18 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种SOI耐高温半导体应变计，包括SOI硅片，SOI硅片顶层为厚度15～20μm的P型硅、SOI硅片中间层为厚度0.6～1μm的埋氧层、SOI硅片底层为厚度5～10μm的N型硅；所述SOI硅片顶面设有电极，电极为由下至上依次层叠的钛层、镍层与金层，钛层厚度500～600Å、镍层厚度600～700Å、金层厚度5000～6000Å；电极上焊接有金丝引线；通过对SOI硅片的清洗、蒸镀电极、合金热处理、刻蚀分离槽、焊金丝引线、分离应变计以及调阻的步骤即可制得，方法简单，且解决与试件之间的绝缘问题，降低应用难度，同时提高使用温度，稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 应变计 金丝引线 耐高温 金层 镍层 钛层 半导体 热处理 绝缘问题 依次层叠 分离槽 埋氧层 中间层 顶层 顶面 刻蚀 试件 蒸镀 制备 焊接 合金 清洗 应用 | ||
【主权项】：
1.一种SOI耐高温半导体应变计，其特征在于，包括SOI硅片，SOI硅片顶层为厚度15～20μm的P型硅、SOI硅片中间层为厚度0.6～1μm的埋氧层、SOI硅片底层为厚度5～10μm的N型硅；所述SOI硅片顶面设有电极，电极为由下至上依次层叠的钛层、镍层与金层，钛层厚度500～600 Å、镍层厚度600～700 Å、金层厚度5000～6000 Å；电极上焊接有金丝引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蚌埠市长达力敏仪器有限责任公司，未经蚌埠市长达力敏仪器有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811350545.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分层结构的磁控变刚度微纳测头
- 下一篇：一种活塞销圆柱度检测装置
