[发明专利]一种Bi2有效

专利信息
申请号: 201811348246.2 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN109279614B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 包定华;柯一夫 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C01B33/20 分类号: C01B33/20;C04B35/16;C04B35/622
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种Bi2SiO5硅酸铋薄膜材料及其制备方法和应用,所述制备方法通过选择乙酰丙酮搭配正硅酸四乙酯,并协同含有Bi的有机盐溶液,制得的硅酸铋前驱体薄膜在特定的温度下烧结,成功制备得到Bi2SiO5硅酸铋薄膜材料。该方法为化学溶液沉积法,不需要真空条件,且烧结温度低,制备过程简单,成本低,制得的Bi2SiO5硅酸铋薄膜材料均匀致密、无杂相生成,具有稳定的介电常数及较小的介电损耗,具有较高的居里温度,具有良好的介电特性,无铅,对环境友好,无毒;能够用于制备介电薄膜电容器,在光电器件等微电子器件及集成电路领域具有重要的应用前景。
搜索关键词: 一种 bi base sub
【主权项】:
1.一种Bi2SiO5硅酸铋薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1. 制备酸性的含有Bi的有机盐溶液;S2. 将正硅酸四乙酯和乙酰丙酮混合均匀,得到混合溶液;所述乙酰丙酮与正硅酸四乙酯的摩尔比为(2.0~3.0) ∶1.0;S3. 将S2.的混合溶液与S1.的有机盐溶液在室温下混合均匀,反应后得到硅酸铋前驱体溶液;S4. 利用步骤S3.制得的硅酸铋前驱体溶液在基底上制备硅酸铋前驱体薄膜;S5. 将步骤S4.的硅酸铋前驱体薄膜进行热处理,制备得到Bi2SiO5硅酸铋薄膜材料;所述热处理的温度为475~575 ℃。
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