[发明专利]一种非易失性存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器及其制作方法，该非易失性存储器的浮栅结构位于字线结构的一侧，自下而上依次包括第二栅介电层及第二导电层，第二导电层具有第一、第二尖锐部及位于二者之间的尖锐凹陷部；擦除栅结构位于浮栅结构上方，自下而上依次包括隧穿介电层及第三导电层，隧穿介电层包覆第一、第二尖锐部的尖端部分，并填充进尖锐凹陷部，第三导电层在对应于尖锐凹陷部位置处具有第三尖锐部。本发明的非易失性存储器采用分栅结构，有利于减小器件尺寸，在编程操作时，浮栅的两个尖锐部可以显著增强浮栅与擦除栅之间的FN隧穿效应，在擦除操作时，擦除栅的尖锐部可以实现电子通过FN隧穿的方式自擦除栅注入至浮栅。