[发明专利]含有嵌入式散热结构的微电子系统及其制造方法在审
申请号: | 201811345133.7 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109786259A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | J·A·莫拉;L·维斯瓦纳坦;G·塔克尔 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/427 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了含有嵌入式散热结构的微电子系统及其制造方法。在各个实施例中,所述方法包含以下步骤或工艺:获得基板,所述基板具有穿过所述基板形成的隧道;在覆盖所述隧道的位置处将微电子部件附接到所述基板的正面;以及在将所述微电子部件附接到所述基板之后,至少部分地在所述隧道内产生嵌入式散热结构。所述生产步骤可以包含:将键合层前体材料从所述基板的背面应用到所述隧道中并且到所述微电子部件上。然后,可以使所述键合层前体材料经受烧结工艺或者以其它方式使其固化以形成与所述微电子部件接触的导热部件键合层。 | ||
搜索关键词: | 基板 微电子部件 嵌入式散热结构 键合层 隧道 微电子系统 前体材料 导热部件 烧结工艺 生产步骤 位置处 固化 背面 制造 穿过 覆盖 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造微电子系统的方法,其特征在于,其包括:获得具有隧道的基板,所述隧道穿过所述基板;在封闭所述隧道的位置处将微电子部件附接到所述基板的正面;以及在将所述微电子部件附接到所述基板之后,产生至少部分容纳于所述隧道内的嵌入式散热结构,其中产生包括:将键合层前体材料从所述基板的背面应用到所述隧道中并且到所述微电子部件上;以及使所述键合层前体材料固化以形成与所述微电子部件接触的导热部件键合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造