[发明专利]一种基于TSV的环式螺旋电感器在审

专利信息
申请号: 201811340162.4 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109585415A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 王凤娟;刘景亭;余宁梅 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 谈耀文
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于TSV的环式螺旋电感器,包括硅衬底,硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层,RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同,RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层,RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV,各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的环式螺旋电感器,与一般结构的TSV电感器相比,环式螺旋电感器的磁路封闭,且充分利用闭合磁路减少漏磁,提高饱和电流,减少电磁干扰对整体电路的影响。
搜索关键词: 金属层 顶面 螺旋电感器 环式 底面金属层 硅衬底 端面设置 饱和电流 闭合磁路 磁路封闭 电磁干扰 整体电路 纵向连接 电感器 漏磁
【主权项】:
1.一种基于TSV的环式螺旋电感器,其特征在于,包括环形衬底(7),沿所述环形衬底(7)顶面设置有一圈均匀排列的顶层金属(1)、底面设置有一圈与顶层金属(1)数量一致、位置交错的底层金属(5),所述顶层金属(1)和底层金属(5)通过竖直设置的圆柱形TSV(4)连接,所述圆柱形TSV(4)填充在环形衬底内,其中一个顶层金属(1)上连接有输入电极(2),与所述输入电极(2)对应的顶层金属(1)相邻的顶层金属(1)上连接有输出电极(3);各个所述顶层金属(1)填充在二氧化硅绝缘层(6)里,各个所述底层金属(5)填充在二氧化硅绝缘层(6)里。
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