[发明专利]一种阵列天线的副瓣和交叉极化抑制方法有效

专利信息
申请号: 201811328984.0 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN109541643B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 雷世文;胡皓全;孙凯;田径;唐璞;陈波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01S19/13 分类号: G01S19/13
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 周刘英
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种阵列天线的副瓣和交叉极化抑制方法,属于天线技术领域。本发明首先分别构建交叉极化抑制的优化模型和副瓣抑制的优化模型;再采用迭代的方式求解所构建的优化模型,在使左右权系数相互逼近的同时,使其值不断逼近最优解,以加快求解速度;同时,通过调谐因子的引入,保证其收敛性。本发明利用凸优化技术,通过对天线权系数的优化选择,设置阵列天线副瓣和交叉极化同时抑制的方法,提高了阵列天线对来自不同卫星的双极化信号的独立接收能力,抑制其相互影响。
搜索关键词: 一种 阵列 天线 交叉 极化 抑制 方法
【主权项】:
1.一种阵列天线的交叉极化抑制方法,其特征在于,包括下列步骤:步骤S1:构建交叉极化抑制的优化模型:步骤S101:构建初始优化模型为:minimizewυ其中,ε、ρ和υ分别表示阵列天线的主瓣纹波、副瓣电平和交叉极化电平;ΘC,ML,ΘC,SL和ΘX,Region分别表示阵列天线的主瓣范围、副瓣范围和需抑制的交叉极化范围;w表示阵列天线的复加权系数,符号(·)H表示矩阵共轭;其中En,θ(θ,φ)和En,φ(θ,φ)分别表示阵列天线的第n个阵元因子在俯仰方向和方位方向的远场电场强度,n=1,…,N,N表示阵列天线的阵元数,所述为方向矢量,θ、φ分别具体方向值,κ和表示电磁波的空间波数和阵元的位置,表示空间来波方位;e表示自然底数,j表示虚数单位;步骤S102:定义左权系数wL=w、右权系数wR=w,则所述初始优化模型变换为:minimizeWυ步骤S2:对步骤S102得到的优化模型进行优化求解处理:步骤S201:初始化处理:初始化主瓣纹波ε、副瓣电平约束ρ0,得到ρ的初始值:ρ=γρ0;其中ε∈[0.01,0.2],ρ0∈[0.001,0.1],γ∈[5,100];从左、右权系数wL和wR中任意选择一个作为待初始化对象,记为未选中的记为χ;初始化以及调谐因子β,参数α及其调整步长δ,其中β∈[0,1),α∈[0.1,0.5];步骤S202:更新副瓣电平ρ为:ρ=max{ρ0,βρ};步骤S203:基于步骤S102得到的优化模型对χ进行求解,得到χ的当前最优值;步骤S204:对进行更新:以及更新参数α=α‑δ;并计算与χ的当前误差步骤S205:若满足gap>Thr且α>0,则继续执行步骤S202;否则执行步骤S206;其中Thr表示预设的误差阈值;步骤S206:将χ当前最优值作为阵列天线的权系数矩阵w。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811328984.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top