[发明专利]调节器用半导体集成电路在审
申请号: | 201811325443.2 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN109768040A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 牧慎一朗;高野阳一;横山胜浩 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;金慧善 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉提供一种调节器用半导体集成电路。在具备泄放电阻的调节器用半导体集成电路中,泄放电阻由形成于岛状半导体区域的表面的扩散层构成,该岛状半导体区域以通过分离区域包围了周围的状态设置于半导体基板上,在输出端子与恒电位点之间以与寄生于上述泄放电阻的体二极管串联的方式连接有电流限制用电阻,电流限制用电阻由以通过分离区域包围了周围的状态设置于上述半导体基板上的岛状半导体区域的表面上所形成的扩散层构成,并且以通常动作时的电流流过而在两端产生的电位差不超过寄生于该电流限制用电阻的体二极管的正向电压的方式设定电阻值。 | ||
搜索关键词: | 半导体集成电路 岛状半导体区域 电流限制 泄放电阻 半导体基板 分离区域 体二极管 状态设置 扩散层 寄生 电位差 包围 方式设定 输出端子 通常动作 正向电压 恒电位 电阻 串联 | ||
【主权项】:
1.一种调节器用半导体集成电路,具备:输出控制用晶体管,其由连接在输入直流电压的电压输入端子与输出端子之间的双极晶体管构成;控制电路,其根据输出的反馈电压来控制上述输出控制用晶体管;以及泄放电阻,其连接在输出端子与恒电位点之间,并将输出电压进行分压来生成上述反馈电压,其特征在于,上述泄放电阻由形成于第一岛状半导体区域的表面的扩散层构成,该第一岛状半导体区域以通过分离区域包围了周围的状态设置于半导体基板上,在上述输出端子与恒电位点之间以与上述泄放电阻串联的方式连接有电流限制用电阻,上述电流限制用电阻由形成于第二岛状半导体区域的表面的扩散层构成,该第二岛状半导体区域是与通过分离区域包围了周围的上述第一岛状半导体区域不同的区域,并且上述电流限制用电阻以通常动作时的电流流过而在两端产生的电位差不超过寄生于该电流限制用电阻的体二极管的正向电压的方式设定电阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的