[发明专利]阻变存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201811313129.2 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109411601B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 田敏;李立;王志刚 | 申请（专利权）人： | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华;王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种阻变存储器及其制作方法，本发明技术方案去除了位于所述通孔外的功能层，所述绝缘介质层背离所述基底的一侧表面未覆盖所述功能层，避免了通孔外部具有功能层时导致的电场不均匀问题，提高了阻变存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底的表面形成第一电极层，图案化所述第一电极层，形成第一电极；在所述第一电极背离所述基底的一侧表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成通孔，露出部分所述第一电极；形成功能层，所述功能层填充所述通孔，且覆盖所述绝缘介质层；去除所述通孔外的所述功能层，露出所述绝缘介质层；在所述绝缘介质层表面形成所述第二电极层，图案化所述第二电极层，形成第二电极，所述第二电极至少覆盖填充在所述通孔内的所述功能层。
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