[发明专利]一种抑制薄膜晶体管阈值电压漂移的方法在审
| 申请号： | 201811308213.5 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109560044A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘文军;雷东;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/324;H01L21/265;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种抑制薄膜晶体管阈值电压漂移的方法。本发明是在薄膜晶体管（TFT）开始工作前，通过降低位于TFT栅绝缘层内部，以及栅绝缘层与半导体薄膜界面处的缺陷态密度或缺陷态的俘获截面，从而抑制TFT在工作时阈值电压的漂移；具体采用如下技术措施之一种：生长不同的电介质薄膜并对薄膜及其内部的固定电荷量通过热处理进行调控；离子注入；在半导体薄膜靠近栅绝缘层一侧的表面注入额外的电子或空穴；调节作为沟道层的半导体薄膜的掺杂浓度和薄膜厚度；在TFT的Gate端预置偏置电场。本发明方法操作方便，抑制薄膜晶体管阈值电压漂移效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 薄膜晶体管阈值电压 半导体薄膜 栅绝缘层 薄膜 空穴 薄膜晶体管 电介质薄膜 固定电荷量 缺陷态密度 热处理 技术措施 偏置电场 显示面板 阈值电压 沟道层 界面处 缺陷态 俘获 预置 离子 掺杂 生长 调控 | ||
【主权项】：
1.一种抑制薄膜晶体管阈值电压漂移的方法，其特征在于，是在TFT开始工作前，通过降低位于TFT栅绝缘层内部，以及栅绝缘层与半导体薄膜界面处的缺陷态密度或缺陷态的俘获截面，从而抑制TFT在工作时阈值电压的漂移；这里TFT包括N型和P型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
