[发明专利]基于FeN的大环内酯类抗生素传感器的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201811306512.5 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109254044B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 程荣琦;张勇;杜斌 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327;G01N21/76 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 高强 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化铁的大环内酯类抗生素传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与化学生物传感器技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了氮化铁纳米片阵列，利用其大的比表面积和对氨基的高吸附活性，采用原位生长的方法，相继在氮化铁纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以大环内酯类抗生素分子为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种基于氮化铁的大环内酯类抗生素传感器便制备完成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fen 内酯 抗生素 传感器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化铁的大环内酯类抗生素传感器的制备方法，其特征在于，所述的基于氮化铁的大环内酯类抗生素传感器由氮化铁纳米片阵列电极FeN‑nanoarray上原位生长无模板分子分子印迹聚合物NIP得到的；所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP是不含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的不含有模板分子的分子印迹聚合物是由含模板分子分子印迹聚合物MIP经过洗脱模板分子得到的；所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP是含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的模板分子是大环内酯类抗生素分子。
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