[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811306112.4 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN111146286B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 张睿钧;吴世凯;王晟宇;洪力扬;许家铭 申请(专利权)人: 世界先进积体电路股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王天尧;任默闻
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了一种半导体装置,其包含半导体层,设置于基底上方;掺杂区,设置于半导体层中;元件区,设置于掺杂区上,包含源极、漏极和栅极;第一隔离结构,设置于半导体层中且环绕掺杂区;第二隔离结构,环绕第一隔离结构且与第一隔离结构隔开;以及端子,设置于第一隔离结构和第二隔离结构之间,且与源极等电位。本发明可以消除在隔离结构外部施加的电压对隔离结构内部元件的干扰,进而提升可靠度和安全操作区间。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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