[发明专利]一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法

摘要

本发明公开了一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法，所述驱动电路是针对一种非绝缘栅型GaN HEMT的无容式高速驱动电路，用于驱动GaN HEMT，包括高速开通电路、稳态驱动电路、关断电路和反相电路。通过所述驱动电路实现的控制方法，能够在GaN HEMT开关过程中提供足够大的电流尖峰，稳态时提供足够的驱动电流维持GaN HEMT的正常导通，且关断后不会出现栅源负压，降低其反向导通损耗，高速开关的同时尽可能降低驱动损耗，实现高速、高效率驱动GaN HEMT。

主权项

1.一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路，其特征在于：所述电路为无容式高速驱动电路，包括高速开通电路、稳态驱动电路、关断电路和反相电路；所述高速开通电路输入端与第一驱动电源连接，其输出端分别连接GaN HEMT的栅极和稳态驱动电路输入端；所述稳态驱动电路输入端分别连接反相电路输出端和高速开通电路输出端，其输出端连接依次连接高速开通电路输出端和GaN HEMT栅极；所述关断电路连接在GaN HEMT栅极和源极之间，其输入端连接反相电路输出端；所述反相电路与第二驱动电源相连，并依次连接稳态驱动电路和关断电路。