[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811287337.X | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109509817B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。一种发光二极管外延片，该外延片包括：衬底、以及顺次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，该外延片还包括BGaN插入层，BGaN插入层位于多量子阱层和电子阻挡层之间，多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与N型掺杂GaN层接触，靠近电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与BGaN插入层接触，电子阻挡层包括多个层叠的复合层，复合层包括第一复合子层，第一复合子层包括第一AlGaN层，靠近多量子阱层的复合层中的第一AlGaN层与BGaN插入层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底、以及顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括BGaN插入层，所述BGaN插入层位于所述多量子阱层和所述电子阻挡层之间，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近所述N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与所述N型掺杂GaN层接触，靠近所述电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与所述BGaN插入层接触，所述电子阻挡层包括多个层叠的复合层，所述复合层包括第一复合子层，所述第一复合子层包括第一AlGaN层，靠近所述多量子阱层的复合层中的第一AlGaN层与所述BGaN插入层接触。
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