[发明专利]包含外延硅层的半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811284390.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109728074B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 郑有宏;江柏融;陈彦秀;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及包含外延硅层的半导体装置和其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供衬底，衬底包含第一导电类型的第一半导电区和位于第一半导电区上方的门结构，其中门结构之间的间隙暴露第一半导电区的部分；和从第一半导电区的经暴露部分开始在间隙中形成第二导电类型的第二半导电区。形成第二半导电区包含：在腔中在毗邻于门结构的侧壁周围以第一生长速率生长外延富硅层，第一生长速率大于中心部分处的第二生长速率；和在腔中利用蚀刻剂以第一蚀刻速率在毗邻于门结构的侧壁周围部分地去除外延富硅层，第一蚀刻速率大于中心部分处的第二蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 外延 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包含第一导电类型的第一半导电区和位于所述第一半导电区上方的栅极结构，其中所述栅极结构之间的间隙暴露所述第一半导电区的部分；以及从所述第一半导电区的所述经暴露部分开始在所述间隙中形成第二导电类型的第二半导电区，所述步骤包括：在腔中在毗邻于所述栅极结构的侧壁周围以第一生长速率生长外延富硅层，所述第一生长速率大于中心部分处的第二生长速率；以及在所述腔中利用蚀刻剂以第一蚀刻速率在毗邻于所述栅极结构的所述侧壁周围部分地去除所述外延富硅层，所述第一蚀刻速率大于所述中心部分处的第二蚀刻速率。
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