[发明专利]功率器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种功率器件包括衬底，形成在衬底上的第一外延层，自第一外延层的上表面向下形成沟槽，形成在沟槽的底部的第二外延层，贯穿第二外延层的凹槽，凹槽内填充第三外延层，形成在第三外延层及第二外延层的上表面的第四外延层，第三外延层的浓度大于第四外延层的浓度，位于第四外延层的两侧自第一外延层的上表面向下延伸形成体区，自第四外延层和体区的交界处向下延伸形成的源区，形成在第一外延层、体区及部分源区的上表面的氧化层，位于氧化层的上表面的多晶硅层，位于多晶硅层及部分源区的上表面的介质层，位于介质层、部分源区及第四外延层的上表面的金属层。本发明还提供功率器件的制备方法，增强了工作性能和单脉冲雪崩能量的能力。

主权项

1.一种功率器件，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上的第一导电类型的第一外延层；自所述第一外延层的上表面向下形成沟槽；形成在所述沟槽的底部的第一导电类型的第二外延层；贯穿所述第二外延层的凹槽，所述凹槽内填充有第二导电类型的第三外延层；形成在所述第三外延层及所述第二外延层的上表面的第二导电类型的第四外延层，所述第三外延层的浓度大于所述第四外延层的浓度；位于所述第四外延层的两侧自所述第一外延层的上表面向下延伸形成的第二导电类型的体区；自所述第四外延层和所述体区的交界处向下延伸形成的第一导电类型的源区；形成在所述第一外延层、所述体区及部分所述源区的上表面的氧化层；位于所述氧化层的上表面的多晶硅层；位于所述多晶硅层及部分所述源区的上表面的介质层；位于所述介质层、部分所述源区及所述第四外延层的上表面的金属层。