[发明专利]功率二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811276691.2 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109411548A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳市金鑫城纸品有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/329
代理公司: 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 代理人: 马世中
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种功率二极管包括衬底,第一导电类型的衬底,形成在所述衬底上的第二导电类型的第一外延层,间隔形成自所述第一外延层的上表面延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的埋层,形成在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层,形成在所述第二外延层内与所述埋层对应的第一导电类型的第一注入区,位于所述第二外延层的上表面的第二导电类型的第二注入区,位于所述第一注入区的上表面的门极金属层,形成在所述第二注入区的上表面的阴极金属层;形成在所述衬底的下表面的阳极金属层。本发明还提供一种功率二极管的制备方法,提高了功率二极管的反向击穿电压,降低了漏电流和电路功耗。
搜索关键词: 外延层 功率二极管 导电类型 上表面 注入区 衬底 第一导电类型 埋层 制备 反向击穿电压 门极金属层 阳极金属层 阴极金属层 电路功耗 漏电流 下表面 延伸
【主权项】:
1.一种功率二极管,其特征在于,其包括:第一导电类型的衬底;形成在所述衬底上的第二导电类型的第一外延层;间隔形成自所述第一外延层的上表面延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的埋层;形成在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层;形成在所述第二外延层内与所述埋层对应的第一导电类型的第一注入区;位于所述第二外延层的上表面的第二导电类型的第二注入区;位于所述第一注入区的上表面的门极金属层;形成在所述第二注入区的上表面的阴极金属层;形成在所述衬底的下表面的阳极金属层。
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