[发明专利]一种锥形半导体激光器在审
| 申请号： | 201811276335.0 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109149359A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周坤;杜维川;康俊杰;李弋;谭昊;王昭;高松信;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/125;H01S5/22 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锥形半导体激光器，该方案包括有脊形区和锥形区；脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。该方案可实现激光的单向放大，前腔面无反馈结构使得光束质量在放大过程中不易恶化，可大大增加锥形区的长度，达到既可以输出较高的功率，又可以保持近衍射极限的光束质量，可实现超高亮度的激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 锥形区 种子激光 脊形区 锥形半导体激光器 放大 激光 衍射极限 前腔 反馈结构 放大输出 输出 无反馈 面无 腔面 恶化 | ||
【主权项】：
1.一种锥形半导体激光器，其特征是：包括有脊形区和锥形区；所述脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；所述锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。
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