[发明专利]包括上喷头和下喷头在内的沉积装置有效
| 申请号： | 201811268189.7 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109797376B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 朴柄善;徐枝延;任智芸;林炫锡;田炳好;姜有善;权赫镐;朴星津;严太镕;河东协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 喷头 在内 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1.一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，其中，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及其中，所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
