[发明专利]匀气装置和半导体处理设备有效
申请号: | 201811268107.9 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN111101117B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种匀气装置和半导体处理设备。包括进气件、匀流件和排气件,进气件上设置有至少两个进气通道;匀流件的第一表面上设置有至少一个第一分配部以及若干个第一匀流部,第一分配部分别连通对应的进气通道和第一匀流部;第二表面上设置有至少一个第二分配部以及若干个第二匀流部,第二分配部分别连通对应的进气通道和第二匀流部;排气件上设置有若干个第一排气部以及若干个第二排气部,第一排气部用于分别连通对应的第一匀流部和工艺腔室,第二排气部用于分别连通对应的第二匀流部和工艺腔室。可以达成至少两种工艺气体相互独立且均匀输送、均匀分布到工艺腔室的效果。 | ||
搜索关键词: | 装置 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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