[发明专利]提供经反应金属源极-漏极应力结构的方法

摘要

一种为半导体装置提供源极‑漏极应力结构的方法，所述半导体装置包括源极区及漏极区。在所述源极区及所述漏极区中形成凹槽。绝缘层覆盖所述源极区及所述漏极区。所述凹槽延伸穿过位于所述源极区及所述漏极区上方的所述绝缘层。提供材料A与材料B的均质混合物层。所述均质混合物层的一些部分位于所述凹槽中。所述均质混合物层的所述部分具有高度及宽度。所述高度除以所述宽度大于三。所述均质混合物层的位于所述凹槽中的部分的顶表面是自由的。使所述均质混合物层反应以形成包含化合物A_xB_y的经反应的均质混合物层。所述化合物A_xB_y占据的体积小于所述均质混合物层的对应部分。

主权项

1.一种为半导体装置的沟道提供源极‑漏极应力结构的方法，所述半导体装置包括源极区及漏极区，所述方法包括：在所述源极区中形成第一凹槽及在所述漏极区中形成第二凹槽以及形成覆盖所述源极区及所述漏极区的绝缘层，所述第一凹槽延伸穿过位于所述源极区上方的所述绝缘层的第一部分，所述第二凹槽延伸穿过位于所述漏极区上方的所述绝缘层的第二部分；提供材料A与材料B的均质混合物层，所述均质混合物层的第一部分驻留在所述第一凹槽中，所述均质混合物层的第二部分驻留在所述第二凹槽中，所述均质混合物层的所述第一部分具有第一高度及第一宽度，所述均质混合物层的所述第二部分具有第二高度及第二宽度，所述第一高度除以所述第一宽度得到大于三的第一高宽比，所述第二高度除以所述第二宽度得到大于三的第二高宽比，所述均质混合物层的所述第一部分及所述第二部分的顶表面是自由的；使所述均质混合物层反应以形成包含化合物A_xB_y的经反应的均质混合物层，所述化合物A_xB_y占据的体积小于所述均质混合物层的对应部分的原始体积。