[发明专利]具有石墨烯的器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811245526.0 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109473507A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;杨悦昆;刘冠宇;郑鹏荣;薛忠营;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/09 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有石墨烯的器件及其制备方法，具有石墨烯的器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯；3)于石墨烯远离基底的表面生长量子点。本发明的具有石墨烯的器件的制备方法通过分子束外延工艺生长量子点，通过调节分子束外延工艺的生长条件，可以有效的控制在石墨烯表面外延生长的量子点的形貌特征；生长过程稳定可控，重复性强，适合作为石墨烯表面功能化量子点的普适方法。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 量子点 制备 基底 分子束外延工艺 表面功能化 表面生长 表面外延 表面形成 生长过程 生长条件 形貌特征 生长 可控 | ||
【主权项】：
1.一种具有石墨烯的器件的制备方法，其特征在于，所述具有石墨烯的器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于所述基底的表面形成石墨烯；3)于所述石墨烯远离所述基底的表面生长量子点。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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