[发明专利]高敏感度中红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种高敏感度中红外光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的上表面形成石墨烯层；3)于石墨烯层的上表面形成量子点；4)于形成有量子点的石墨烯层上表面形成第一电极及第二电极，第一电极与第二电极之间具有导通沟道区域；5)去除导通沟道区域之外裸露的量子点及导通沟道区域之外裸露的石墨烯层，并保留位于导通沟道区域内的量子点及石墨烯层。本发明通过在石墨烯层上生长量子点，可以显著提高石墨烯层在中红外波段的探测灵敏度，在中红外探测领域具有广阔的应用前景；同时，可以减少了载流子复合，提高了载流子寿命，因此可以提升光探测器件的响应灵敏度。

主权项

1.一种高敏感度中红外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述高敏感度中红外光电探测器的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于所述基底的上表面形成石墨烯层；3)于所述石墨烯层的上表面形成量子点；4)于形成有所述量子点的所述石墨烯层上表面形成第一电极及第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间具有导通沟道区域；5)去除所述导通沟道区域之外裸露的所述量子点及所述导通沟道区域之外裸露的所述石墨烯层，并保留位于所述导通沟道区域内的所述量子点及所述石墨烯层。