[发明专利]一种用于废硅料回收处理方法在审

专利信息
申请号: 201811242829.7 申请日: 2018-10-24
公开(公告)号: CN109137065A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 姚翠云;刘明权;路景刚 申请(专利权)人: 镇江环太硅科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 任立
地址: 212200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于废硅料回收处理方法,包括以下步骤:(1)三次废弃层靠近坩埚面边皮回收料部分,打磨设备打磨,再人工辅助使用磨光机继续打磨;(2)三次废弃层最上部杂质部分,打磨设备打磨,再使用打磨设备继续打磨,再人工辅助使用磨光机打磨;(3)三次废弃层最下部杂质部分,打磨设备打磨,再人工辅助使用磨光机继续打磨;(4)打磨好的硅料酸洗;(5)将处理好后的硅料,添加30%用量与一次废弃层经过多晶炉铸锭提纯用;本发明处理方法简单易行,有效去除废硅料中富含的金属杂质、氮化硅和碳化硅杂质,提升此类硅料的内在品质,达到高纯度硅料要求,增加经济效益,变废为宝。
搜索关键词: 打磨 打磨设备 人工辅助 磨光机 废弃 废硅 硅料 回收处理 高纯度硅 金属杂质 内在品质 氮化硅 多晶炉 回收料 碳化硅 再使用 提纯 富含 酸洗 铸锭 坩埚 去除
【主权项】:
1.一种用于废硅料回收处理方法,其特征在于,回收处理的废硅料为三次废弃层部分包括靠近坩埚的边皮回收料部分、硅锭最上部杂质部分及硅锭最下部杂质部分,所述三次废弃层由多晶工序生产加工中硅锭最上部为杂质富集区切除8‑10mm作为一次废弃层,此部分硅料经过多晶铸锭炉提纯一次,产生的除中心晶砖外,其余部分作为二次废弃层,二次废弃层再经过多晶铸锭炉提纯一次,产生的除中心晶砖外,其余部分作为三次废弃层;该废硅料回收处理方法,具体包括以下步骤:(1)三次废弃层靠近坩埚面边皮回收料部分,厚度在20‑30mm,使用边皮头尾料自动打磨设备进行打磨,打磨深度为2mm,剥去表面一层,再人工辅助使用磨光机继续打磨;(2)三次废弃层最上部杂质部分,厚度>40mm,使用边皮头尾料自动打磨设备,打磨深度为2mm,剥去表面一层,一次打磨完成后,再使用机械打磨设备继续打磨,打磨深度设置2mm,再剥去表面一层,再人工辅助使用磨光机打磨;(3)三次废弃层最下部杂质部分,厚度>40mm,使用边皮头尾料自动打磨设备进行打磨,打磨深度设置为2mm,先剥去表面一层,再人工辅助使用磨光机继续打磨;(4)将步骤(1)、(2)及(3)中打磨好的硅料进行酸洗,酸洗后纯水中和漂洗至PH值为中性,烘干后包装入库;(5)将步骤(4)处理好后的硅料配置30%与70%一次废弃层硅料经过多晶炉铸锭排杂提纯一次,提纯后的硅料作为可投炉硅料使用。
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