[发明专利]基于单元中心点位移的反射面天线随机误差分析方法有效

专利信息
申请号: 201811240841.4 申请日: 2018-10-23
公开(公告)号: CN109472066B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 张树新;张顺吉;段宝岩;叶靖 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 代理人: 韩景云
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于单元中心点位移的反射面天线随机误差分析方法,包括:输入反射面天线几何参数与电参数;计算理想天线远区辐射电场;计算理想天线远区辐射功率;进行反射面三角形网格划分;计算电场相对单元中心点位移的单元一阶、二阶系数;输入表面随机误差均方根值;计算天线远区辐射功率平均值;判断电性能是否满足要求;输出辐射功率方向图;更新表面随机误差均方根值。本发明将单元中心点位移描述为反射面天线随机误差,基于单元中心点位移二阶近似公式,获得了反射面天线表面随机误差对电性能的影响,可指导反射面天线面板加工与制造。
搜索关键词: 基于 单元 中心点 位移 反射 天线 随机误差 分析 方法
【主权项】:
1.基于单元中心点位移的反射面天线随机误差分析方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)输入反射面天线几何参数与电参数输入用户提供的反射面天线几何参数与电参数;其中几何参数包括半径、焦距;电参数包括工作波长、自由空间波常数、口径场幅度分布函数、锥销电平、口径场形状指数以及包括天线增益、波瓣宽度、副瓣电平、指向精度在内的电性能要求;(2)计算理想天线远区辐射电场根据反射面天线几何参数与电参数,利用几何光学法计算理想天线远区辐射电场;(3)计算理想天线远区辐射功率;(4)进行反射面三角形网格划分;(5)计算电场相对单元中心点位移的单元一阶、二阶系数;(6)输入表面随机误差均方根值根据反射面天线面板加工制造误差,输入天线表面随机误差均方根值;(7)计算天线远区辐射功率平均值;(8)判断电性能是否满足要求判断天线远区辐射功率平均值是否满足天线增益、波瓣宽度、副瓣电平、指向精度在内的电性能要求,如果满足要求则转至步骤(9),否则转至步骤(10);(9)输出辐射功率方向图当天线远区辐射功率平均值满足天线增益、波瓣宽度、副瓣电平、指向精度在内的电性能要求时,输出辐射功率方向图;(10)更新表面随机误差均方根值当天线远区辐射功率平均值不满足天线增益、波瓣宽度、副瓣电平、指向精度在内的电性能要求时,更新表面随机误差均方根值,转至步骤(6)。
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