[发明专利]一种高灵敏度双倍增内线转移CCD有效
| 申请号： | 201811240421.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109462733B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李立;熊平;杨洪;曾武贤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/372 | 分类号： | H04N5/372 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明属于光电探测及成像技术领域，具体为一种高灵敏度双倍增内线转移CCD，所述双倍增内线转移CCD包括雪崩光敏二极管、垂直CCD信道、移位寄存器以及电子倍增结构；入射光子进入所述高灵敏度双倍增内线转移CCD，被雪崩光敏二极管吸收，通过对雪崩光敏二极管产生雪崩击穿，完成第一次的信号倍增；第一次倍增后的信号通过外部施加的转移脉冲转移到各个垂直CCD信道中，分级转移到移位寄存器中，通过外部施加的倍增电压，信号电荷由移位寄存器转移到电子倍增结构中，将信号电荷进行倍增，完成第二次的信号倍增。本发明能够通过前后双倍增，从而将CCD的灵敏度由10 |
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| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 双倍 内线 转移 ccd | ||
【主权项】：
1.一种高灵敏度双倍增内线转移CCD，其特征在于，所述双倍增内线转移CCD包括雪崩光敏二极管、垂直CCD信道、移位寄存器以及电子倍增结构；入射光子进入所述高灵敏度双倍增内线转移CCD，被雪崩光敏二极管吸收，通过对雪崩光敏二极管产生雪崩击穿，完成第一次的信号倍增；第一次倍增后的信号通过外部施加的转移脉冲转移到各个垂直CCD信道中，分级转移到移位寄存器中，通过外部施加的倍增电压，信号电荷由移位寄存器转移到电子倍增结构中，将信号电荷进行倍增，完成第二次的信号倍增。
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