[发明专利]中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法有效
| 申请号： | 201811235291.7 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698110B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 南象基;姜姓佶;林成龙;刘钒镇;舆石公;V.帕什科夫斯基;许桄熀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 阴极 以及 用于 制造 半导体器件 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空阴极，包括：绝缘板，具有阴极孔；多个底电极，在所述绝缘板下面，其中所述底电极限定第一孔，所述第一孔具有比所述阴极孔的宽度大的宽度；以及多个顶电极，在所述绝缘板的与所述底电极相反的一侧并限定第二孔，所述第二孔沿着垂直于所述绝缘板的上表面的方向与所述第一孔对准。
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