[发明专利]芯片内护城河结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811229808.1 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081647A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片内护城河结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板；形成介电层于基板表面的扩散阻挡层上，并形成金属互连结构及接合焊垫于介电层中，金属互连结构位于芯片主体区域；形成钝化保护层于介电层上；形成护城河凹槽结构于芯片周边区域；形成表面保护层于所述钝化保护层上，所述表面保护层自下而上依次包括共形层及填充层，所述共形层还形成于所述槽环的侧壁和底部，所述填充层还填入所述槽环。本发明在芯片周边区域布置槽环，槽环环绕芯片主体区域，且槽环中填充有共形层及填充层，可以有效吸收或缓冲晶圆切割应力，从而阻断晶圆切割应力往芯片主体区域传递，并减少金属材料的使用，同时增加结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 护城河 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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