[发明专利]一种金属氧化物光晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及了一种金属氧化物光晶体管及其制备方法。该金属氧化物光晶体管采用底栅垂直结构，器件从下往上依次是带有一定厚度二氧化硅氧化层的高掺杂硅片、网状源极和源极接触电极、金属氧化物半导体薄膜以及漏电极。垂直结构金属氧化物光晶体管中的半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印或磁控溅射技术制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物光晶体管可实现直接图案化、器件均一性好，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的光响应R和外量子效率EQE。该垂直结构的金属氧化物光晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。

主权项

1.一种金属氧化物光晶体管，其特征在于，所述金属氧化物光晶体管为底栅垂直结构，从下往上依次为基底、网状源极和源极接触电极、半导体层、漏极，所述基底包括基底硅片和绝缘层，所述基底硅片为高掺杂硅片，该硅片既为衬底又为栅极，所述绝缘层为二氧化硅层，所述网状源极为金属纳米线或碳纳米管，所述半导体层为金属氧化物半导体。