[发明专利]GaN基功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811227070.5 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109560134A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张卫;卢红亮;黄伟;蒋西西 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为GaN基功率器件及其制备方法。本发明采用p型多晶硅作为漏极，通过漏极的空穴注入，实现两种载流子同时导电，实现电导调制，从而降低器件的导通电阻Ron，并利用两种载流子的电负性相吸，有效减小器件的表面漏电和提高击穿电压。另外，本发明采用P型多晶硅栅极和漏极集成电路工艺实现增强型GaN基功率器件，以支持未来的硅基GaN量产化技术。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件 漏极 载流子 制备 半导体器件技术 空穴 集成电路工艺 漏电 导通电阻 电导调制 击穿电压 降低器件 电负性 增强型 导电 硅基 减小 量产 相吸 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基功率器件的制备方法，其特征在于，具体步骤为：选用SiC上AlGaN/GaN作为衬底；在所述衬底上曝光出欧姆接触的源极图形，电子束蒸发第一金属，经过去胶剥离和退火后，形成器件的源极；形成掩蔽层，曝光出器件的台面图形，干法刻蚀所述掩蔽层和所述AlGaN层并过刻，形成器件区；光刻、刻蚀形成栅开口；淀积多晶硅，进行p型掺杂并退火，得到p型多晶硅；光刻、刻蚀形成p型多晶硅栅极和p型多晶硅漏极；其中，所述p型多晶硅漏极的一部分形成于GaN层上，并与AlGaN/GaN叠层的侧面相接触，另一部分与AlGaN层上表面间形成有绝缘介质层；在所述栅极和所述漏极上曝光金属引线的图形，电子束蒸发第二金属，经过去胶剥离，得到金属引线。
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