[发明专利]卫星高频头电路有效
| 申请号： | 201811223126.X | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109257551B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林水洋;宋颖;徐乃昊;周智;何德宽;王志高 | 申请（专利权）人： | 隔空微电子（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/50 | 分类号： | H04N5/50;H04N7/20;H04B1/16;H04B1/00 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 冯振华 |
| 地址： | 510635 广东省广州市天河区高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种下变频芯片封装结构和卫星高频头电路，所述封装结构包括：导线框架，包括裸片布局区和多个引脚，所述多个引脚围绕所述裸片布局区设置；第一裸片和第二裸片，所述第一裸片包括下变频器件，所述第二裸片包括一FET结构，且所述FET结构与所述第一裸片连接，用于向所述第一裸片输入经过所述第二裸片放大后的信号，所述FET结构的栅极连接至其中一个引脚，该引脚作为所述下变频芯片封装结构的射频信号输入引脚。所述下变频芯片结构能够减少电路面积，提高电路集成度，从而降低成本，并且能够提高增益，降低噪声，提高电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 卫星 高频头 电路 | ||
【主权项】：
1.一种下变频芯片封装结构，其特征在于，包括：导线框架，包括裸片布局区和多个引脚，所述多个引脚围绕所述裸片布局区设置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局区，所述第一裸片包括下变频器件，所述第二裸片包括一FET结构，且所述FET结构与所述第一裸片连接，用于向所述第一裸片输入经过所述第二裸片放大后的信号，所述FET结构的栅极连接至其中一个引脚，该引脚作为所述下变频芯片封装结构的射频信号输入引脚。
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