[发明专利]一种叠层太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811222304.7 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109390430A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 杨少飞;唐泽国 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L31/0288;H01L31/20;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李莎;李弘
地址: 100176 北京市大兴区亦*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法,包括顶电池、硅基合金薄膜隧穿结和底电池,所述硅基合金薄膜隧穿结位于顶电池和底电池之间,所述硅基合金薄膜隧穿结包括n型层和p型层;所述n型层包括至少一层n型硅基合金薄膜层,所述n型硅基合金薄膜层为n型的SiOx层或n型的SiCy层,其中0<x<2,其中0<y<1;所述p型层包括至少一层p型硅基合金薄膜层,所述p型硅基合金薄膜层为p型的SiOx层或p型的SiCy层,其中0<x<2,其中0<y<1。本发明的叠层太阳能电池具有增大带隙的隧穿结,隧穿结对光的吸收减小,提高了叠层电池的短路电流,使得叠层电池的光电转换效率提高。
搜索关键词: 薄膜层 基合金 隧穿结 叠层太阳能电池 硅基合金薄膜 叠层电池 底电池 顶电池 制备 光电转换效率 短路电流 带隙 减小 隧穿 吸收
【主权项】:
1.一种叠层太阳能电池,其特征在于,包括顶电池、硅基合金薄膜隧穿结和底电池,所述硅基合金薄膜隧穿结位于顶电池和底电池之间,所述硅基合金薄膜隧穿结包括n型层和p型层;所述n型层包括至少一层n型硅基合金薄膜层,所述n型硅基合金薄膜层为n型的SiOx层或n型的SiCy层,其中0<x<2,其中0<y<1;所述p型层包括至少一层p型硅基合金薄膜层,所述p型硅基合金薄膜层为p型的SiOx层或p型的SiCy层,其中0<x<2,其中0<y<1。
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