[发明专利]一种硅片晶圆激光切割工艺在审
| 申请号： | 201811218203.2 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081635A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 徐志华;葛建秋;张彦 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/38;B23K26/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片划片行业，具体涉及一种硅片晶圆激光切割工艺，包括以下步骤：准备工作：穿好工作衣、工作鞋，带好工作帽和工作手套，清扫工作场地，整理划片设备以及划片工具；对来料进行检验：检验内容包括，芯片无碎裂现象；划片操作。本发明的一种硅片晶圆激光切割工艺，切割过程确保走刀位置的准确性，和切割的精度，操作简单，切割速度快，误差极小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 激光 切割 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
