[发明专利]真空压力浸渗制备电子封装用多层累积镁基复合材料

摘要

本发明涉及一种电子封装用多层累积SiC颗粒增强镁基复合材料的真空压力浸渗制备工艺，所述材料主要按照以下工艺实现制备。步骤一：SiC预制体的制备。首先通过控制造孔剂的含量制备SiCp含量为Avol％、Bvol％、Cvol％及Dvol％的预制体坯料。其次将四个不同体积分数的预制体坯料在模具中拼装并进一步压制成形为多层累积预制体坯料。然后将多层累积预制体坯料烧结成增强体体积分数不同的多孔预制体。步骤二：将烧结好的多层累积预制体坯料和镁合金一起放入真空压力浸渗装置中制备成多层累积镁基复合材料。步骤三：对制备好的多层累积镁基复合材料进行定向凝固以消除铸造缺陷。

主权项

1.多层累积SiC颗粒增强镁基复合材料的真空压力浸渗制备工艺，其特征主要包括以下步骤：步骤一：备料：将SiC颗粒放入质量分数为5％～10％的HF溶液中浸泡一定的时间，然后用蒸馏水反复洗涤至PH为7。之后加入无水乙醇进行超声清洗，最后放到烘箱中烘干。根据所制备复合材料中SiC颗粒的体积分数称取一定质量的造孔剂、高温粘结剂、低温粘结剂和镁合金。步骤二：混料：将一定质量比的经步骤一处理过的SiC颗粒、造孔剂、高温粘结剂、低温粘结剂放入干粉混料机中混匀。然后取出混好的料，加入适量的蒸馏水，用电动搅拌机继续搅拌，制成均匀的预制体浆料。步骤三：制坯：将混好的预制体浆料放入预制体粗坯模具中，对上模施加60～80MPa的压力并保压30S，将预制体浆料压制成薄板形状的SiCp含量为Avol％的预制体坯料。步骤四：多次重复步骤二和步骤三，制备SiCp含量分别为Bvol％、Cvol％和Dvol％的预制体坯料。步骤五：将Avol％、Bvol％、Cvol％和Dvol％的预制体坯料按体积分数由低到高组装起来，放入多层预制体成形模具中，对上模施加180～200MPa的压力，双向加压将坯料压实。步骤六：将制备好的多层累积预制体坯料放入80℃的烘箱中干燥2h，之后放入电阻炉中按特定的升温曲线加热，进行脱水、排胶，并烧结成增强体体积分数不同的多孔预制体。步骤七：将烧结好的多层累积预制体坯料和镁合金放入真空压力浸渗装置中。抽真空至10pa以下，加氩气后再抽真空至10pa以下，重复4次，最后抽真空至10pa以下。然后将多层累积预制体坯料和镁合金加热至680℃并保温10分钟，之后通氩气至1～3Mpa并保压10分钟，制成多层累积SiC颗粒增强镁基复合材料。步骤八：保压结束后，对浸渗完的多层累积SiC颗粒增强镁基复合材料进行定向凝固以消除铸造缺陷。