[发明专利]一种制备高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底的方法有效
| 申请号： | 201811205277.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109234802B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高超;柏文文;张红岩;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种制备高质量半绝缘碳化硅单晶衬底的方法，属于半导体材料领域。该制备方法通过对高纯碳化硅单晶晶片进行高温快速热处理技术和表面激光退火技术，将引入到高纯半绝缘碳化硅衬底表面一定区域内的点缺陷进行清除，同时保留距离衬底表面的内部点缺陷，从而实现在无缺陷的碳化硅单晶衬底表层洁净区并保留碳化硅单晶衬底的半绝缘特性，且制备的GaN外延层的获得最佳的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 半绝缘碳化硅单晶 碳化硅单晶 衬底表面 点缺陷 高纯 半导体材料领域 快速热处理技术 碳化硅单晶晶片 半绝缘碳化硅 表面激光 退火技术 半绝缘 洁净区 保留 引入 申请 | ||
【主权项】：
1.一种制备高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：1)选择高纯碳化硅单晶片；2)将高纯碳化硅单晶片进行高温快速热处理和表面退火处理，即制得所述的高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底；其中，所述的高温快速热处理包括快速升温加热阶段和快速降温阶段；所述快速升温加热阶段包括：以30‑100℃/s的速率从室温升温至1800‑2300℃，保持60‑600s；所述表面退火处理控制的高纯碳化硅单晶片的表面温度为1200‑1800℃，退火处理的时间为30‑90min；所述的高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层。
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