[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底有效
| 申请号： | 201811204666.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109338463B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 高超;柏文文;张红岩 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷，可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种高纯碳化硅单晶衬底，其特征在于，所述的高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，所述碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于所述碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。
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