[发明专利]一种中空纳米复合材料、制备方法及其应用有效
申请号: | 201811202927.8 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109304187B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张小俊;蒋美文 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | B01J27/04 | 分类号: | B01J27/04;B01J35/10;C25B11/091;C25B11/054;C25B1/04 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 任晨晨 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了一种中空纳米复合材料、制备方法及其应用,本发明首先合成SiO |
||
搜索关键词: | 一种 中空 纳米 复合材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种中空纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1:合成SiO2硬模板;S2:将步骤1)合成的SiO2硬模板、尿素、碳源和锡源置于水中,搅拌溶解后,加入乙醇,再继续搅拌混匀,得混合溶液,然后将混合溶液倒入反应釜中,加热反应,反应结束,取出冷却至室温,将沉淀分离,然后洗涤,干燥,再置于NaOH溶液中浸泡,最后清洗、干燥后,即得中空C@SnO2前驱体;S3:将步骤S2制备的C@SnO2前驱体和硫源置于异丙醇中,搅拌得到混合溶液,倒入反应釜中,加热反应,取出冷却至室温,所得沉淀分离,分别洗涤、干燥,即可得到中空C@SnS2;S4:将步骤S3制备的中空C@SnS2在氮气氛围下煅烧,即可得到中空C@SnS2/SnS纳米复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽师范大学,未经安徽师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811202927.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。