[发明专利]一种AlGaN基紫外异质结光电晶体管探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种AlGaN基紫外异质结光电晶体管探测器及其制备方法，包括衬底及在衬底上生长的外延层，所述外延层包括从下至上依次分布的缓冲层、n型欧姆接触层、施主掺杂AlmGa1‑mN层、非故意掺杂AlmGa1‑mN层、极化掺杂p型AlxGa1‑xN梯度渐变层、AlyGa1‑yN层、Al/Ga组分渐变的AlhGa1‑hN层、AlzGa1‑zN层及分布于欧姆接触层和AlzGa1‑zN层上的n型欧姆接触电极，其中Al组分x的起始值≤m‑0.1，终止值为y；m‑0.4≤y≤m‑0.2；h起始值为y、终止值为z；y+0.1≤z≤y+0.2。所得晶体管的晶体质量等设计性能好、可靠性高，所得探测器的光电特性佳。

主权项

1.一种AlGaN基紫外异质结光电晶体管探测器，其特征在于，为npn型结构，且p型基区采用极化掺杂生长，所述光电晶体管探测器包括衬底(101)及在衬底(101)上生长的外延层，所述外延层包括从下至上依次分布的缓冲层(102)、n型欧姆接触层(103)、施主掺杂AlmGa1‑mN层(104)、非故意掺杂AlmGa1‑mN层(105)、极化掺杂p型AlxGa1‑xN梯度渐变层(106)、AlyGa1‑yN层(107)、Al/Ga组分渐变的AlhGa1‑hN层(108)、AlzGa1‑zN层(109)及分布于欧姆接触层(103)和AlzGa1‑zN层(109)上的n型欧姆接触电极(110)，其中Al组分x的起始值≤m‑0.1，终止值为y；m‑0.4≤y≤m‑0.2；h起始值为y、终止值为z；y+0.1≤z≤y+0.2。