[发明专利]一种提高硅基OLED微显示器电流稳定性的像素电路和方法在审

专利信息
申请号: 201811195665.7 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109166525A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 李晨;赖良德 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G09G3/3266
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 常虹
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种提高硅基OLED微显示器电流稳定性的像素电路和方法,其中像素电路包括4个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和一个有机发光二极管;4个MOSFET分为开关管和驱动管,由2个扫描信号的状态控制得到2个工作阶段:阈值电压补偿阶段和发光阶段。在阈值电压补偿阶段,将驱动管的栅漏极短接,使驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中,使得在发光阶段的漏电流与驱动管的阈值电压无关,从而提高了硅基OLED微显示器的电流稳定性。
搜索关键词: 驱动管 电流稳定性 微显示器 像素电路 硅基 阈值电压补偿 存储电容 发光阶段 阈值电压 半导体场效应管 有机发光二极管 工作阶段 扫描信号 数据电压 状态控制 开关管 漏电流 氧化物 短接 栅漏 存储 金属
【主权项】:
1.一种提高硅基OLED微显示器电流稳定性的像素电路,其特征在于,包括第一金属‑氧化物‑半导体场效应管、第二金属‑氧化物‑半导体场效应管、第三金属‑氧化物‑半导体场效应管、第四金属‑氧化物‑半导体场效应管、存储电容和有机发光二极管;所述第一金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号,其漏极接入数据信号,其源极电性连接于第一节点,其衬底接入电源正电压;所述第二金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第二扫描信号,其源极接入电源正电压,其漏极电性连接于第一节点,其衬底接入电源正电压;所述第三金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号,其源极电性连接于第二节点,其漏极电性连接于第三节点,其衬底接入电源正电压;所述第四金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极电性连接于第二节点,其源极电性连接于第一节点,其漏极电性连接于第三节点,其衬底接入电源正电压;所述存储电容的一端电性连接于第二节点,其另一端接入地信号;所述有机发光二极管的阳极电性连接于第三节点,其阴极接入地信号。
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