[发明专利]一种制备纳米多孔硅双凸透镜的方法有效
申请号: | 201811186719.3 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109234791B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 龙永福 | 申请(专利权)人: | 湖南文理学院 |
主分类号: | C25F3/30 | 分类号: | C25F3/30;G02B3/00 |
代理公司: | 常德市源友专利代理事务所(特殊普通合伙) 43208 | 代理人: | 江妹 |
地址: | 415000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备纳米多孔硅双凸透镜的方法,该方法是将常规双槽腐蚀制备圆柱形的体多孔硅薄膜,即使用两个圆形平板薄铂片作为电极,且在两个平行电极之间放置硅片,硅片轴线、两个圆形平板薄铂片轴线三者重合,硅片离左、右两个电极的距离相等,硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分;采用正、负方波恒流源对硅片前、后表面进行电化学腐蚀形成圆柱形体多孔硅薄膜;然后,将其浸入氢氧化钠溶液中,并以圆柱形的体多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴旋转圆柱形体多孔硅,导致体多孔硅圆柱形成由多孔硅材料构成的双凸透镜。通过本发明的方法,能获得纳米多孔硅双凸透镜,能广泛应用于微机电系统,为微机光电系统领域作出了重大的贡献。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 纳米 多孔 凸透镜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备纳米多孔硅双凸透镜的方法,其特征在于,该方法是将常规双槽腐蚀时使用两个圆形平板薄铂片作为电极,且在两个平行电极之间放置圆形硅片,硅片中心轴线、两个圆形平板薄铂片中心轴线三者重合,硅片离左、右两个电极的距离相等,硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分;先采用正、负方波恒流源对硅片两个表面进行电化学腐蚀形成圆柱形的体多孔硅薄膜,再在体多孔硅薄膜形成后将其浸入氢氧化钠溶液中,并以圆柱形的体多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴旋转圆柱形多孔硅,导致体多孔硅圆柱形成由多孔硅材料构成的凸透镜。
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