[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201811185826.4 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109860294A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 林秉顺;方子韦;林政明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体元件包含具有通道区域的半导体基板。栅极介电层位于半导体基板的通道区域上方。功函数金属层位于栅极介电层上方。功函数金属层具有底部、顶部和功函数材料。底部位于栅极介电层和顶部之间。底部具有第一浓度的功函数材料，顶部具有第二浓度的功函数材料，并且第一浓度高于第二浓度。栅极电极位于功函数金属层的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数金属层 栅极介电层 功函数 半导体基板 半导体元件 通道区域 栅极电极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一通道区域；一栅极介电层，位于该半导体基板的该通道区域上；一功函数金属层，位于该栅极介电层上，其中该功函数金属层具有一底部、一顶部和一功函数材料，该底部位于该栅极介电层和该顶部之间，该底部具有一第一浓度的该功函数材料，该顶部具有一第二浓度的该功函数材料，该第一浓度高于该第二浓度；以及一栅极电极，位于该功函数金属层的该顶部上。
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