[发明专利]用于测试半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201811184921.2 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109860068A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 林铭祥;何嘉政;吕俊颉;彭成毅;张智胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于测试半导体结构的方法包括在基板的测试区域上方形成介电层。在介电层上形成覆盖层。退火介电层和覆盖层。移除退火的覆盖层。在线测试退火的介电层的铁电性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 退火 覆盖层 测试半导体 测试区域 在线测试 铁电性 基板 移除 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试半导体结构的方法，其特征在于，包含：形成一介电层于一基板的一测试区域上；形成一覆盖层于该介电层上；退火该介电层和该覆盖层；移除退火的该覆盖层；以及在线测试退火的该介电层的一铁电性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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