[发明专利]液晶材料离子密度的测试方法有效

专利信息
申请号: 201811182018.2 申请日: 2018-10-10
公开(公告)号: CN109031732B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 李建;安忠维;胡明刚;李娟利;杨晓哲;万丹阳;莫玲超;车昭毅 申请(专利权)人: 西安近代化学研究所
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G01N21/59;G01N21/21
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 梁勇
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种液晶材料中离子密度的测试方法。通过对不同类型介电常数的液晶材料,选择合适的液晶分子取向方式和液晶测试盒,对注有液晶材料的测试盒施加三角波电压,得到电压‑电流曲线,对其中离子运动电流峰面积积分,获得离子密度数值。该方法避免了液晶分子指向矢旋转带来的电流峰干扰,解决了液晶材料中残留离子的定量测试难题。本发明适用于液晶材料的质量可靠性测试评价,尤其是液晶材料中离子密度的测试评价。
搜索关键词: 液晶 材料 离子 密度 测试 方法
【主权项】:
1.一种液晶材料离子密度的测试方法,其特征在于步骤如下:(1)对介电常数为正值的液晶材料,将液晶材料注入垂直取向的测试盒中,对液晶测试盒施加低频三角波,检测测试盒的电流随外加电压的变化情况,获得液晶材料中的离子运动曲线,对离子峰面积积分计算得到离子密度数值;(2)对介电常数为负值的液晶材料,将液晶材料注入平行或90度扭曲取向的测试盒中,对液晶测试盒施加低频三角波,检测测试盒的电流随外加电压的变化情况,获得液晶材料中残留的离子运动曲线,对离子峰面积积分计算得到离子密度数值。
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