[发明专利]一种射频芯片系统级封装的散热模块制作工艺

摘要

本发明公开了一种射频芯片系统级封装的散热模块制作工艺，包括如下步骤：101）盖板处理步骤、102）底座处理步骤、103）封装步骤；本发明提供避免大大提高模块的散热能力的一种射频芯片系统级封装的散热模块制作工艺。

主权项

1.一种射频芯片系统级封装的散热模块制作工艺，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）载板处理步骤：通过光刻、刻蚀工艺在载板上表面制作TSV孔，TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um，在载板上表面通过沉积氧化硅或者氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层本身结构为一层或多层，种子层采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种；通过电镀铜，使铜金属充满TSV孔，在200到500度温度下密化铜，用CMP工艺使载板上表面只剩下填铜形成铜柱；在载板的上表面制作RDL，其包括制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，绝缘层采用氧化硅或者氮化硅，再通过光刻、干法刻蚀工艺开窗，能使RDL和铜柱连接，其中在载板表面制作RDL通过光刻，电镀工艺实现，RDL包括走线和键合功能的焊盘，RDL采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，RDL本身结构为一层或多层，其厚度范围为10nm到1000um；在载板表面制作焊盘通过光刻、电镀工艺实现，焊盘高度范围在10nm到1000um，焊盘的金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，焊盘结构为一层或多层；焊盘和走线位于同一面，RDL包括导热金属层；载板采用4、6、8、12寸晶圆中的一种，载板厚度范围为200um到2000um，其采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯；102）载板减薄处理步骤：减薄载板下表面，通过研磨、湿法腐蚀和干法刻蚀的工艺使铜柱露出；在载板露出的铜柱的表面覆盖绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其采用氧化硅或者氮化硅；通过光刻，刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，开窗后使铜柱露出，焊盘开窗的直径为10um到10000um；通过光刻、电镀工艺制作散热铜柱，其包括制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其采用氧化硅或者氮化硅，通过CMP工艺使散热铜柱露出；通过光刻、电镀工艺在载板表面制作延长铜柱，延长铜柱采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，延长铜柱本身结构为一层或多层，其直径范围为10nm到1000um；在延长铜柱的顶端电镀焊锡或者置焊锡球，焊锡球直径范围在50um到500um；103）封装步骤：在延长铜柱顶端设置铜块，把功能芯片焊接在载板上，打线互联，切割得到单一模组。