[发明专利]一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法在审
| 申请号： | 201811176041.0 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109365391A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孔忠弟;赵超;彭志强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/08;B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，本发明在InSb晶片的抛光工艺中，能够通过较为简单的清洗工艺，将陶瓷盘表面沾污去除，而且能够进行一批次多个陶瓷盘同时清洗，从而较高效率的优化陶瓷盘表面平整度，最终达到优化晶片抛光质量和成品率的效果。通过该工艺的发明，能够节省每年的陶瓷盘换新成本，且能够在一定程度上提升InSb合格抛光晶片产量。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷盘 清洗 晶片抛光 表面平整度 表面沾污 抛光工艺 抛光晶片 清洗工艺 优化晶片 成品率 高效率 抛光 晶片 去除 优化 | ||
【主权项】：
1.一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，其特征在于，包括：通过粘有纯的CMOS‑Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面；将所述陶瓷盘放入预设清洗夹具中，并利用预制的清洗液对所述陶瓷盘进行清洗，其中，所述清洗液为使用电子级NaOH粉末和纯水配置出的PH值为11～13的NaOH溶液；将装有陶瓷盘的清洗夹具放入超声波清洗机中进行浸泡和清洗，浸泡时的洗液温度为40～80℃，浸泡时间24～48小时，清洗的超声频率为25～30KHz，清洗的超声功率为1800～2500W，清洗时的洗液温度为40～80℃，清洗时间30～100min；将清洗后的陶瓷盘后放入纯水中冲洗10～20min；将所述陶瓷盘放入烘箱中进行烘干，设定烘箱温度为60～90℃，对所述陶瓷盘进行烘干。
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