[发明专利]MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法有效
申请号: | 201811153822.8 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN110970513B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 魏同波;孟瑞林;姬小利;谭晓宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法,其中探测器包括:外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极;外延结构包括:衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层;在n‑GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到多孔结构的n‑GaN外延层,对多孔结构的n‑GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化镓外延层;MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化镓外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n‑GaN制备多孔氧化镓日盲探测器能够显著增大氧化镓薄膜的比表面积,使更多的氧分子在多孔氧化镓的表面发生吸附和解吸附,从而大幅度提高氧化镓探测器的紫外探测性能。 | ||
搜索关键词: | msm 多孔 氧化 镓日盲 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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