[发明专利]MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811153822.8 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN110970513B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 魏同波;孟瑞林;姬小利;谭晓宇 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了一种MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法,其中探测器包括:外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极;外延结构包括:衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层;在n‑GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到多孔结构的n‑GaN外延层,对多孔结构的n‑GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化镓外延层;MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化镓外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n‑GaN制备多孔氧化镓日盲探测器能够显著增大氧化镓薄膜的比表面积,使更多的氧分子在多孔氧化镓的表面发生吸附和解吸附,从而大幅度提高氧化镓探测器的紫外探测性能。
搜索关键词: msm 多孔 氧化 镓日盲 探测器 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811153822.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top